Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях
На примере гетероструктуры AlxGa₁–xAs/GaAs теоретически изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов при рассеянии на равновесном коррелированном распределении примесных ионов при фиксированных температурах. Показано, что в случае значительных корреляций в расположении примесных...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2019
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175438 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Концентрационные максимумы подвижности 2D-электронов при рассеянии на скоррелированных примесных ионах в тонких легированных слоях / В.М. Михеев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 1. — С. 140-145. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |