Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe

• Дата: 1996
• Автори: Прозоровский, В.Д., Решилова, И.Ю., Пузыня, А.И., Паранич, Ю.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175550
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe / В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решилова, А.И. Пузыня, Ю.С. Паранич // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 12. — С. 1396-1405. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментальных исследований осцилляций Шубникова—де Гааза на СВЧ, электронного спинового резонанса, магнитной восприимчивости, релаксационных диэлектрических потерь, а также результаты гальваномагнитных измерений в монокристаллических образцах Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe. Анал...