Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций

Представлены результаты численного моделирования спектров донорно-акцепторной рекомбинации в компенсированных полупроводниках с учетом электростатических флуктуаций, связанных с наличием ионизированных примесей. Наличие кулоновских корреляций в системе частично ионизированных примесных центров при...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Богословский, Н.А., Петров, П.В., Аверкиев, Н.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2019
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175789
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций / Н.А. Богословский, П.В. Петров, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 2. — С. 171-178. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine