Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения
Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2018
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176220 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А.Г. Моисеев, Я.С. Гринберг // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 8. — С. 1052-1057. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |