Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

• Дата: 2009
• Автори: Силенко, П.М., Шлапак, А.М., Пилипчук, О.Ф., Дьячков, П.М., Солонін, Ю.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2009
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і...