2025-02-24T02:43:46-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-17690%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:43:46-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-17690%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:43:46-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T02:43:46-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Силенко, П.М., Шлапак, А.М., Пилипчук, О.Ф., Дьячков, П.М., Солонін, Ю.М.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2009
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.

Similar Items