2025-02-24T02:15:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-17690%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:15:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-17690%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:15:01-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T02:15:01-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Силенко, П.М., Шлапак, А.М., Пилипчук, О.Ф., Дьячков, П.М., Солонін, Ю.М.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2009
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-17690
record_format dspace
spelling irk-123456789-176902011-03-06T12:04:00Z Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним. 2009 Article Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. XXXX-0048 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690 661.1:661.65:661.68:669.046 uk Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.
format Article
author Силенко, П.М.
Шлапак, А.М.
Пилипчук, О.Ф.
Дьячков, П.М.
Солонін, Ю.М.
spellingShingle Силенко, П.М.
Шлапак, А.М.
Пилипчук, О.Ф.
Дьячков, П.М.
Солонін, Ю.М.
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
author_facet Силенко, П.М.
Шлапак, А.М.
Пилипчук, О.Ф.
Дьячков, П.М.
Солонін, Ю.М.
author_sort Силенко, П.М.
title Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
title_short Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
title_full Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
title_fullStr Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
title_full_unstemmed Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
title_sort виготовлення нанокабелів bn—sic методом cvd, їх структура та морфологія
publisher Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
publishDate 2009
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690
citation_txt Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT silenkopm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ
AT šlapakam vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ
AT pilipčukof vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ
AT dʹâčkovpm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ
AT solonínûm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ
first_indexed 2023-10-18T17:00:37Z
last_indexed 2023-10-18T17:00:37Z
_version_ 1796140447859474432