Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-17690 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-176902011-03-06T12:04:00Z Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним. 2009 Article Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. XXXX-0048 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690 661.1:661.65:661.68:669.046 uk Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним. |
| format |
Article |
| author |
Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| spellingShingle |
Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| author_facet |
Силенко, П.М. Шлапак, А.М. Пилипчук, О.Ф. Дьячков, П.М. Солонін, Ю.М. |
| author_sort |
Силенко, П.М. |
| title |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_short |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_full |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_fullStr |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_full_unstemmed |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія |
| title_sort |
виготовлення нанокабелів bn—sic методом cvd, їх структура та морфологія |
| publisher |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690 |
| citation_txt |
Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT silenkopm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT šlapakam vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT pilipčukof vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT dʹâčkovpm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ AT solonínûm vigotovlennânanokabelívbnsicmetodomcvdíhstrukturatamorfologíâ |
| first_indexed |
2023-10-18T17:00:37Z |
| last_indexed |
2023-10-18T17:00:37Z |
| _version_ |
1796140447859474432 |