Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления

Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено эксп...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1996
Автори: Брандт, Н.Б., Скипетров, Е.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/179874
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine