Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления
Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено эксп...
Збережено в:
| Дата: | 1996 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/179874 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |