Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
Узагальнено результати досліджень структурних і оптичних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами МеВ-них енергій флюенсами, що перевищували 10¹⁶ см⁻². Структуру опроміненого іонами кремнію умовно поділено на декілька областей (пробігу, гальмування та за межею області гальмування), вигляд...
Збережено в:
Видавець: | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
---|---|
Дата: | 2021 |
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2021
|
Назва видання: | Доповіді НАН України |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/180389 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій / Г.П. Гайдар, М.Б. Пінковська, М.І. Старчик // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 1. — С. 39-50. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Узагальнено результати досліджень структурних і оптичних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами МеВ-них енергій флюенсами, що перевищували 10¹⁶ см⁻². Структуру опроміненого іонами
кремнію умовно поділено на декілька областей (пробігу, гальмування та за межею області гальмування),
вигляд яких визначається типом іонів, їхньою масою, енергією і температурою під час опромінення. Встановлено, що опромінення великими флюенсами легких іонів МеВ-них енергій спричинює утворення в об'ємі
кремнію на глибинах до декількох сотень мікрон упорядкованих шарів, пов'язаних із дефектами, властивості яких відрізняються від властивостей матриці. Показано, що за таких умов опромінення характер
дефектоутворення (кількість і ширина виявлених упорядкованих лінійних структур та їх розташування
відносно області гальмування іонів) залежить від маси й енергії іонів, інтенсивності пучка іонів, температури опромінення і властивостей кристала.
Ефект упорядкування дефектів у вигляді ліній напружень та їх поширення за межі області гальмування виявлено при опроміненні кремнію іонами як водню, так і гелію. З’ясовано, що даний ефект залежить
від інтенсивності опромінення і виникає тільки при щільності струму пучка меншій, ніж 0,45 мкА/см².
Установлено, що для кремнію, опроміненого іонами гелію, в області пробігу іонів характерною є не монокристалічна, а фрагментарна структура, яка має сукупність упорядкованих ліній напружень (по в’язаних
із дефектами), паралельних смузі гальмування іонів гелію, а смуга гальмування складається з порожнеч,
витравлених як суцільний шар та у вигляді окремих скупчень. Виявлено, що опромінення дислокаційного
кремнію іонами дейтерію призводить до руху дислокацій у процесі опромінення та до перетину ними
лінії гальмування дейтронів унаслідок утворення дефектів пакування. |
---|