Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автор: Ходаковский, Н.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2019
Назва видання:Кибернетика и системный анализ
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/180880
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine