2025-02-23T14:48:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-180880%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:48:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-180880%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:48:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:48:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Ходаковский, Н.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2019
Series:Кибернетика и системный анализ
Subjects:
Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/180880
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров.

Similar Items