2025-02-23T14:57:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-180880%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:57:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-180880%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:57:13-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:57:13-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Ходаковский, Н.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України 2019
Series:Кибернетика и системный анализ
Subjects:
Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/180880
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-180880
record_format dspace
spelling irk-123456789-1808802021-10-24T01:26:13Z Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации Ходаковский, Н.И. Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров. Розроблено метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації на основі використання принципів роботи молекулярних систем нейрона та його ядерних компонентів — ДНК і РНК. Запропоновано модель передачі імпульсів між синапсами і структурами нейронів у процесі зміни порога чутливості нейрона в залежності від величини струму. Запропоновані пристрої можуть бути використані як запам’ятовувальні модулі для нанорозмірних сенсорів.. A method is developed to construct memory devices with an ultrahigh density of information recording based on the principles of operation of the neuron molecular systems and its nuclear components, DNA and RNA. A model of impulse transfer between synapses and neuron structures during variation in the neuron sensitivity threshold as a function of current is proposed. The proposed devices can be used as memory modules in nanoscale sensors 2019 Article Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1019-5262 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/180880 004.82 ru Кибернетика и системный анализ Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
spellingShingle Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
Ходаковский, Н.И.
Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
Кибернетика и системный анализ
description Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров.
format Article
author Ходаковский, Н.И.
author_facet Ходаковский, Н.И.
author_sort Ходаковский, Н.И.
title Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
title_short Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
title_full Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
title_fullStr Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
title_full_unstemmed Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
title_sort метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
publisher Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
publishDate 2019
topic_facet Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/180880
citation_txt Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Кибернетика и системный анализ
work_keys_str_mv AT hodakovskijni metodpostroeniâzapominaûŝihustrojstvsosverhvysokojplotnostʹûzapisiinformacii
first_indexed 2023-10-18T22:51:04Z
last_indexed 2023-10-18T22:51:04Z
_version_ 1796156598462185472

Similar Items