Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe
На основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе....
Збережено в:
| Видавець: | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
|---|---|
| Дата: | 1983 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
1983
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183136 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe / П.Ф. Венгель, В.Н. Томашик, И.Б. Мизецкая // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 12. — С. 1247-1250. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |