До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках

Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) од...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автор: Гайдар, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2022
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184956
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2022. — № 2. — С. 48-57. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-184956
record_format dspace
spelling irk-123456789-1849562022-08-28T01:26:42Z До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках Гайдар, Г.П. Фізика Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) одержаних значень параметра K у разі проходження струму вздовж напрямку деформування і перпендикулярно до нього. На кристалах n-Ge підтверджено надійність методики вимірювань поперечного тензоопору за допомогою обчислення параметра анізотропії рухливості із залученням даних двох незалежних експериментів. Одержано хороший збіг значень параметра анізотропії K, обчислених за даними вимірювань тільки поздовжнього тензоопору та за даними вимірювань поздовжнього і поперечного тензоопорів. Експериментально підтверджено, що в умовах сильної направленої пружної деформації стиснення (за відсутності прояву компонент деформації зсуву в кристалах n-Si) відбуваються лише відносні зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у багатодолинних напівпровідниках за шкалою енергій, однак форма еліпсоїдів залишається практично незмінною. The transverse (the current in the sample is oriented perpendicular to the deformation axis) and longitudinal (the current is directed along the deformation axis) tensoresistances of high-resistance n-Si crystals are investigated. The mobility anisotropy parameter was calculated for these two cases. The coincidence (within the experimental errors) of the obtained values of the parameter K was established when the current passes along the direction of deformation and perpendicular to it. Using n-Ge crystals, the reliability of the technique for measuring the transverse tensoresistance was confirmed by calculating the mobility anisotropy parameter using the data obtained from two independent experiments. A good agreement was obtained for the values of the anisotropy parameter K, calculated from the measurement data of only the longitudinal tensoresistance and from the measurement data of the longitudinal and transverse tensoresistances. It was experimentally confirmed that under conditions of strong elastic directional compressive deformation (in the absence of manifestation of the shift deformation components in n-Si crystals), only relative displacements of isoenergetic ellipsoids in multi-valley semiconductors along the energy scale occur, but the shape of the ellipsoids remains practically unchanged. 2022 Article До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2022. — № 2. — С. 48-57. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2022.02.048 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184956 621.315.592 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Гайдар, Г.П.
До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
Доповіді НАН України
description Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) одержаних значень параметра K у разі проходження струму вздовж напрямку деформування і перпендикулярно до нього. На кристалах n-Ge підтверджено надійність методики вимірювань поперечного тензоопору за допомогою обчислення параметра анізотропії рухливості із залученням даних двох незалежних експериментів. Одержано хороший збіг значень параметра анізотропії K, обчислених за даними вимірювань тільки поздовжнього тензоопору та за даними вимірювань поздовжнього і поперечного тензоопорів. Експериментально підтверджено, що в умовах сильної направленої пружної деформації стиснення (за відсутності прояву компонент деформації зсуву в кристалах n-Si) відбуваються лише відносні зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у багатодолинних напівпровідниках за шкалою енергій, однак форма еліпсоїдів залишається практично незмінною.
format Article
author Гайдар, Г.П.
author_facet Гайдар, Г.П.
author_sort Гайдар, Г.П.
title До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
title_short До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
title_full До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
title_fullStr До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
title_full_unstemmed До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
title_sort до методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2022
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184956
citation_txt До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2022. — № 2. — С. 48-57. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT gajdargp dometodikiviznačennâpoperečnogotenzooporuvbagatodolinnihnapívprovídnikah
first_indexed 2023-10-18T23:00:16Z
last_indexed 2023-10-18T23:00:16Z
_version_ 1796157000676016128

Схожі ресурси