Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
Методом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga.
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2013
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187998 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |