Intensification of the process of plasma-induction growing of large profiled tungsten single crystals

The structure of a profiled tungsten single crystal obtained by plasma-induction layer-by-layer growth on a single crystal seed crystal at different deposition rates is investigated. Investigated – microhardness, size of the subgrain structure, angles of misorientation of subgrains, the nature of th...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Дата:2022
Автори: Shapovalov, V.O., Gnizdylo, O.M., Yakusha, V.V., Nikitenko, Yu.O., Berdnikova, E.M., Khohlova, J.A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2022
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/195819
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Intensification of the process of plasma-induction growing of large profiled tungsten single crystals / V.O. Shapovalov, O.M. Gnizdylo, V.V. Yakusha, Yu.O. Nikitenko, E.M. Berdnikova, J.A. Khohlova // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 1. — С. 40-45. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine