Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irra...
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2023
|
| Назва видання: | Problems of Atomic Science and Technology |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/196114 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |