Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2010
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30788 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-30788 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-307882012-02-15T12:08:12Z Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Матеріалознавство Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву. It is experimentally proved that the presence of the temperature gradient (at the interface of the liquid and solid phases in heavily doped monocrystals of n–Si : As in the process of their growth from a melt) does not lead to an anisotropy in the fluctuating distribution of a doping impurity. This fact shows the dominating role of randomization in the spatial distribution of a doping impurity due to kT (at T=1412 °С) during the growth of n–Si doped monocrystals from a melt. 2010 Article Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30788 621.315.592.3 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Матеріалознавство Матеріалознавство |
| spellingShingle |
Матеріалознавство Матеріалознавство Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії Доповіді НАН України |
| description |
Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному розподілі легуючої домішки. Цей факт демонструє домінуюче значення хаотизації у просторовому розподілі легуючої домішки за рахунок kT, що відбувається при T=1412 °С у процесі вирощування легованих монокристалів n–Si з розплаву. |
| format |
Article |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_sort |
Баранський, П.І. |
| title |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_short |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_full |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_fullStr |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_full_unstemmed |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| title_sort |
ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Матеріалознавство |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/30788 |
| citation_txt |
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Доп. НАН України. — 2010. — № 11. — С. 77-80. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkijpí ízotropnístʹrozsíânnânafluktuacíâhleguûčoídomíškivsilʹnolegovanomunkremníí AT gajdargp ízotropnístʹrozsíânnânafluktuacíâhleguûčoídomíškivsilʹnolegovanomunkremníí |
| first_indexed |
2023-10-18T17:31:15Z |
| last_indexed |
2023-10-18T17:31:15Z |
| _version_ |
1796141760940867584 |