Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра....
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51648 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |