Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра....
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51648 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51648 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-516482013-12-06T03:08:50Z Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS Гаркавенко, А.С. Функциональная микро- и наноэлектроника Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. Дослідження показало, що оптимальними робочими переходами в лазерах з електронним збудженням на основі радіаційно легованих, оптично однорідних кристалів CdS є переходи з виродженої зони про відності на дрібні акцепторні рівні ізотопів паладію та срібла. The research has shown that the optimum laser transitions in electronic excitation lasers based on radiation doped, optically homogeneous CdS crystals are the transitions from the degenerate conduction band to shallow acceptor levels of palladium and silver isotopes. 2012 Article Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51648 535.14.62 :375.828 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Гаркавенко, А.С. Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра. |
| format |
Article |
| author |
Гаркавенко, А.С. |
| author_facet |
Гаркавенко, А.С. |
| author_sort |
Гаркавенко, А.С. |
| title |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_short |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_full |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_fullStr |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_full_unstemmed |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS |
| title_sort |
природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов cds |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51648 |
| citation_txt |
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 41-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT garkavenkoas prirodaperehodovimehanizmygeneraciivlazerahnaosnoveradiacionnolegirovannyhkristallovcds |
| first_indexed |
2023-10-18T18:16:45Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:16:45Z |
| _version_ |
1796143783409090560 |