Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

• Дата: 2012
• Автори: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Ничкало, С.И., Корецкий, Р.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Сенсоэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51706
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 19-21. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик»,...