2025-02-23T19:24:33-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51709%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:24:33-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51709%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:24:33-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:24:33-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достиг...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51709 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|