2025-02-23T22:08:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51709%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:08:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51709%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:08:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:08:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достиг...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Добровольский, Ю.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51709
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт.

Similar Items