Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Спосо...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51724 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка / З.Р. Кудринский, З.Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 40-43. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |