2025-02-23T07:06:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51812%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T07:06:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51812%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T07:06:04-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T07:06:04-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Гуляев, Ю.В., Ждан, А.Г., Чучева, Г.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Техническая политика
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51812
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51812

Similar Items