Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51812 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518122013-12-12T03:09:24Z Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. Техническая политика Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения. На основі ефекту електронно-іонної взаємодії запропоновано новий підхід до створення на Si-МОН-транзисторах довгочасної перестроюваної пам.яті з довільним доступом. Різниця в рівнях сигналів «нуль» та «одиниця» залежить від режиму зчитування і може змінюватись в широких границях. Значення часу запису та стирання визначаються розмірами транзистора і складають мілісекунди. Отримані результати дають підставу вважати, що в порівнянні з традиційною кремнієвою Flash-пам.яттю такий запам.ятовуючий пристрій буде більш надійним і довговічним. A new approach to the creation of a long-term random access memory based on the effect of the electron-ion interaction on Si-MOS-transistors is proposed. The difference in levels of signals «zero» and «unit» depends on the regime of reading, and can vary widely. Time of recording-erasing is determined by the size of the transistor and makes some milliseconds. Obtained results allow to suggest, that compared with the traditional flash memory, such storage device will be more reliable and durable. 2011 Article Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51812 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Техническая политика Техническая политика |
| spellingShingle |
Техническая политика Техническая политика Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения. |
| format |
Article |
| author |
Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. |
| author_facet |
Гуляев, Ю.В. Ждан, А.Г. Чучева, Г.В. |
| author_sort |
Гуляев, Ю.В. |
| title |
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_short |
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_full |
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_fullStr |
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_full_unstemmed |
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов |
| title_sort |
новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе si-моп-транзисторов |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Техническая политика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51812 |
| citation_txt |
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT gulâevûv novyjpodhodksozdaniûustrojstvsénergonezavisimojpamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov AT ždanag novyjpodhodksozdaniûustrojstvsénergonezavisimojpamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov AT čučevagv novyjpodhodksozdaniûustrojstvsénergonezavisimojpamâtʹûnaosnovesimoptranzistorov |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:05Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:05Z |
| _version_ |
1796143798320889856 |