Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
Продемонстрирована возможность реализации на полевых транзисторах с изолированным затвором электронно-ионной памяти, которая может представлять интерес для разработки Flash-памяти нового поколения....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов / Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |