2025-02-23T19:43:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51818%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:43:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51818%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:43:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:43:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Горбань, А.Н., Кравчина, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818

Similar Items