Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51818 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518182013-12-12T03:11:16Z Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Функциональная микро- и наноэлектроника Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц. The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed. 2011 Article Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. |
| format |
Article |
| author |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. |
| author_facet |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. |
| author_sort |
Горбань, А.Н. |
| title |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_short |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_full |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_fullStr |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_full_unstemmed |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС |
| title_sort |
разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ис |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818 |
| citation_txt |
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT gorbanʹan razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostojkihis AT kravčinavv razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostojkihis |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:06Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:06Z |
| _version_ |
1796143798957375488 |