2025-02-23T22:14:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51818%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:14:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51818%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:14:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:14:47-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС

Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Горбань, А.Н., Кравчина, В.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-51818
record_format dspace
spelling irk-123456789-518182013-12-12T03:11:16Z Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Функциональная микро- и наноэлектроника Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А. Розроблено конструкцію вертикальних комплементарних транзисторів з повною діелектричною ізоляцією, розроб лено нові технологічні процеси створення на їх основі радіаційно стійких ІС з параметрами, які забезпечують низькі значення струму витоку поряд із значними величинами прямого струму і пробивної напруги при частоті обміну сигналів інформації на рівні 500 кГц. The construction of vertical complementary transistors with the full dielectric isolation is developed, new technolo-gical processes of creation on their basis the radiation tolerant integrated circuits with parameters which provide low values of a leakage current along with the considerable values of a forward current and breakdown voltage at the information signals exchange frequency of about 500 kHz are developed. 2011 Article Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Горбань, А.Н.
Кравчина, В.В.
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Технология формирования ИС с полной диэлектрической изоляцией, объединяющая разные технологии, позволила получить значения токов утечки ИС на уровне единиц микроампера при прямом импульсном токе в 0,5 А.
format Article
author Горбань, А.Н.
Кравчина, В.В.
author_facet Горбань, А.Н.
Кравчина, В.В.
author_sort Горбань, А.Н.
title Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
title_short Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
title_full Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
title_fullStr Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
title_full_unstemmed Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
title_sort разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ис
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2011
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51818
citation_txt Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС / Горбань А.Н., Кравчина В.В. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 23-26. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT gorbanʹan razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostojkihis
AT kravčinavv razrabotkakonstrukciiitehnologiiizgotovleniâkomplementarnyhtranzistorovdlâradiacionnostojkihis
first_indexed 2023-10-18T18:17:06Z
last_indexed 2023-10-18T18:17:06Z
_version_ 1796143798957375488

Similar Items