Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
Кольцевая металлизация обратной стороны кристалла p–i–n-фотодиода на основе высокоомного кремния позволяет уменьшить темновой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине волны 1,06 мкм не превышают 15%....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51819 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током / Ю.Г. Добровольский, А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 3. — С. 27-31. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |