Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51867 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51867 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-518672013-12-15T03:12:04Z Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. Материалы электроники Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. Дослідження показали, що при зменшенні товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p-n переходу від імпульсної потужності наближається до експоненційної, що збільшує витримувану потужність. Так, наприклад, для заданої температури перегріву зменшення товщини базової області від 500 до 250 мкм дозволяє значно (до 30%) підвищити допустиму потужність діодної структури. The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p⁺–p–n⁺-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p⁺–p–n⁺-structure by 30%. 2011 Article Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51867 621.315.592.2:546.681''19 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса. |
| format |
Article |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Каримов, А.А. Асанова, Г.О. |
| author_sort |
Каримов, А.В. |
| title |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_short |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_full |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_fullStr |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_full_unstemmed |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| title_sort |
исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51867 |
| citation_txt |
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p⁺–p–n⁺-структуры / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, А.А. Каримов, Г.О. Асанова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 6. — С. 43-45. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT ëdgorovadm issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT abdulhaevoa issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT karimovaa issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury AT asanovago issledovaniedopustimojimpulʹsnojmoŝnostikremnievojppnstruktury |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:13Z |
| _version_ |
1796143804149923840 |