2025-02-23T13:37:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51906%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:37:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51906%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:37:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:37:27-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Воронин, В.А., Губа, С.К., Курило, И.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Сенсоэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906

Similar Items