Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками....
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51906 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-519062013-12-16T03:11:05Z Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. Сенсоэлектроника Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками. 2010 Article Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника |
| spellingShingle |
Сенсоэлектроника Сенсоэлектроника Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками. |
| format |
Article |
| author |
Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. |
| author_facet |
Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. |
| author_sort |
Воронин, В.А. |
| title |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_short |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_full |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_fullStr |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| title_sort |
получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Сенсоэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906 |
| citation_txt |
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT voroninva polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii AT gubask polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii AT kuriloiv polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:18Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:18Z |
| _version_ |
1796143807522144256 |