2025-02-23T17:00:19-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51906%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:00:19-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51906%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:00:19-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:00:19-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Воронин, В.А., Губа, С.К., Курило, И.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Сенсоэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-51906
record_format dspace
spelling irk-123456789-519062013-12-16T03:11:05Z Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии Воронин, В.А. Губа, С.К. Курило, И.В. Сенсоэлектроника Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками. 2010 Article Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Сенсоэлектроника
Сенсоэлектроника
spellingShingle Сенсоэлектроника
Сенсоэлектроника
Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.
format Article
author Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
author_facet Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
author_sort Воронин, В.А.
title Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
title_short Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
title_full Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
title_fullStr Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
title_full_unstemmed Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
title_sort получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2010
topic_facet Сенсоэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51906
citation_txt Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT voroninva polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii
AT gubask polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii
AT kuriloiv polučeniearsenidgallievyhstruktursilovyhbipolârnyhipolevyhtranzistorovmetodomgazofaznojépitaksii
first_indexed 2023-10-18T18:17:18Z
last_indexed 2023-10-18T18:17:18Z
_version_ 1796143807522144256

Similar Items