Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Ковтонюк, В.М., Раевская, Н.С., Беляев, А.Е., Бобыль, А.В., Конакова, Р.В., Кудрик, Я.Я., Миленин, В.В., Новицкий, С.В., Шеремет В.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51975
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах / Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Н.С. Раевская, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine