Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
Качественные пленки In₂O₃ высокой проводимости получены термическим окислением InSe при невысоких температурах. Обнаружена наноструктуризация поверхности оксида в форме наноигл....
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51986 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe ние / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.В. Хомяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 51-53. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |