Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
Приведена методика вычисления эффективной диэлектрической проницаемости кристобалита по измеренной диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и обнаружена зависимость вычисленного параметра от времени кристаллизации....
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51990 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 67-68. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |