Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания

Приведена методика вычисления эффективной диэлектрической проницаемости кристобалита по измеренной диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и обнаружена зависимость вычисленного параметра от времени кристаллизации....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2010
Автори: Дмитриев, М.В., Еримичой, И.Н., Панов, Л.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51990
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 67-68. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51990
record_format dspace
spelling irk-123456789-519902013-12-23T03:11:27Z Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания Дмитриев, М.В. Еримичой, И.Н. Панов, Л.И. Материалы электроники Приведена методика вычисления эффективной диэлектрической проницаемости кристобалита по измеренной диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и обнаружена зависимость вычисленного параметра от времени кристаллизации. Наведено методику обчислювання ефективної діелектричної проникності кристобаліту, сформованого у склокерамічному композиційному матеріалі (СКМ), з виміряної діелектричної проникності СКМ. Виявлено залежність обчисленого параметра від часу кристалізації.ѕ The paper deals with computing technique of effective dielectric permittivity of a crystobalite εφπ formed in glassceramic body by means of measured dielectric permittivity of glass-ceramic composit. Dependence of the calculated parameter from the time of crystallization is found. 2010 Article Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 67-68. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51990 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Дмитриев, М.В.
Еримичой, И.Н.
Панов, Л.И.
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Приведена методика вычисления эффективной диэлектрической проницаемости кристобалита по измеренной диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и обнаружена зависимость вычисленного параметра от времени кристаллизации.
format Article
author Дмитриев, М.В.
Еримичой, И.Н.
Панов, Л.И.
author_facet Дмитриев, М.В.
Еримичой, И.Н.
Панов, Л.И.
author_sort Дмитриев, М.В.
title Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
title_short Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
title_full Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
title_fullStr Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
title_full_unstemmed Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
title_sort зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2010
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51990
citation_txt Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания / М.В. Дмитриев, И.Н. Еримичой, Л.И. Панов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 67-68. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT dmitrievmv zavisimostʹdiélektričeskojpronicaemostikristallizuûŝejsâfazysteklokeramikiotvremenispekaniâ
AT erimičojin zavisimostʹdiélektričeskojpronicaemostikristallizuûŝejsâfazysteklokeramikiotvremenispekaniâ
AT panovli zavisimostʹdiélektričeskojpronicaemostikristallizuûŝejsâfazysteklokeramikiotvremenispekaniâ
first_indexed 2023-10-18T18:17:29Z
last_indexed 2023-10-18T18:17:29Z
_version_ 1796143816200159232