Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
Предложены различные технологические приемы, позволяющие получить правильную геометрию электрода в процессе электроосаждения меди и уменьшить внутреннее напряжение осаждаемого слоя....
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52044 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором / Л.Б. Джангидзе, А.Н. Тавхелидзе, Ю.М. Благидзе, З.И. Талиашвили // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 2. — С. 37-42. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |