Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52060 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52060 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-520602013-12-27T03:15:20Z Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Функциональная микро- и наноэлектроника Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів. It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base. 2009 Article Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52060 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. |
| format |
Article |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| author_sort |
Каримов, А.В. |
| title |
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_short |
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_full |
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_fullStr |
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_full_unstemmed |
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_sort |
арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52060 |
| citation_txt |
Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû AT ëdgorovadm arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû AT abdulhaevoa arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemojbazovojoblastʹû |
| first_indexed |
2023-10-18T18:17:38Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:17:38Z |
| _version_ |
1796143822755856384 |