Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

• Дата: 2009
• Автори: Бобренко, Ю.Н., Ярошенко, Н.В., Шереметова, Г.И., Семикина, Т.В., Атдаев, Б.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52310
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·...