Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS

Исследовалась чувствительность тонкопленочных фотоприемников на основе ZnS в ультрафиолетовой и видимой области спектра при низких уровнях облучения. Показано, что оптимизацией толщины переходного слоя (ZnS)х·(CdSe)1-х можно значительно уменьшить длинноволновую чувствительность.·...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2009
Main Authors: Бобренко, Ю.Н., Ярошенко, Н.В., Шереметова, Г.И., Семикина, Т.В., Атдаев, Б.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52310
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS / Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 29-31. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine