Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

• Дата: 2009
• Автори: Форш, П.А., Форш, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....