Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52328 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-523282013-12-30T03:11:18Z Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. Функциональная микро- и наноэлектроника Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов. 2009 Article Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов. |
| format |
Article |
| author |
Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. |
| author_facet |
Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. |
| author_sort |
Форш, П.А. |
| title |
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_short |
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_full |
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_fullStr |
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_full_unstemmed |
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| title_sort |
влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328 |
| citation_txt |
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT foršpa vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT foršea vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT martyšovmn vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT timošenkovû vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT kaškarovpk vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T18:18:20Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:18:20Z |
| _version_ |
1796143851143954432 |