2025-02-23T12:45:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52328%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T12:45:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52328%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T12:45:31-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T12:45:31-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Форш, П.А., Форш, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Series:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-52328
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-523282013-12-30T03:11:18Z Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. Функциональная микро- и наноэлектроника Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов. 2009 Article Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle	Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К. Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description	Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов.
format	Article
author	Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К.
author_facet	Форш, П.А. Форш, Е.А. Мартышов, М.Н. Тимошенко, В.Ю. Кашкаров, П.К.
author_sort	Форш, П.А.
title	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_short	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_full	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_fullStr	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_full_unstemmed	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
title_sort	влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Функциональная микро- и наноэлектроника
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52328
citation_txt	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv	AT foršpa vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT foršea vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT martyšovmn vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT timošenkovû vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ AT kaškarovpk vliânietermičeskogookisleniânaanizotropiûélektroprovodnostiifotoprovodimostinanostrukturirovannogokremniâ
first_indexed	2023-10-18T18:18:20Z
last_indexed	2023-10-18T18:18:20Z
_version_	1796143851143954432

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Similar Items