Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем....
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52389 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |