Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов....
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2008 |
Автори: | Иванчиков, А.Э., Кисель, А.М., Медведева, А.Б., Плебанович, В.И. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52392 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008) -
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2013) -
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2005) -
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
за авторством: Крапивко, Г.И.
Опубліковано: (2005) -
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Голишников, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)