Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
Предложена структура преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработаны метод формирования трехмерных структур кремний-на-изоляторе и элементы управления автоэмиссионного микрокатода....
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52488 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, С.В. Сапон, Ю.М. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 43-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |