Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |