Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Ткачук, А.И., Царенко, О.Н., Рябец, С.И., Ткачук, И.Ю., Ковалёв, Ю.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Опис
Резюме:	Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.