2025-02-23T17:56:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52648%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:56:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-52648%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:56:36-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:56:36-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Ткачук, А.И., Царенко, О.Н., Рябец, С.И., Ткачук, И.Ю., Ковалёв, Ю.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648

Similar Items