Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
Показаны преимущества диодов Ганна с катодными контактами из AuGe— TiB2—Au, инжектирующими горячие электроны, по сравнению с диодами Ганна с омическими контактами.
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52776 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 29-30. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |